宜特小學堂:如何避免先進封裝出現黏晶異常 | 電影影評網
![宜特小學堂:如何避免先進封裝出現黏晶異常](https://i.imgur.com/FK6P5g9.jpg)
2020年10月26日—黏晶技術最困難在於如何用各種黏晶鍵合技術(DieBonding)及最少的介質,將晶粒精準固定在基板或是將晶粒堆疊到最薄,並且可以達到電性不失真及通過各項 ...
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「晶片若只有打線鋁墊(Al Pad) ,如何進行覆晶黏晶鍵合(Flip Chip Die Bonding)?
先進封裝時代,銅柱凸塊逐漸取代錫凸塊,特性不同,如何避免空焊或位移?」
點此觀看本篇影片[1]黏晶製程(Die Bonding)雖然只是半導體後段封裝眾多製程中的一項製程,然而隨著終端產品輕薄短小及5G時代的來臨,封裝也朝向微小化、立體化發展。那麼如何縮小尺寸,同時又能維持其特性成為重要課題。
黏晶技術最困難在於如何用各種黏晶鍵合技術(Die Bonding)及最少的介質,將晶粒精準固定在基板或是將晶粒堆疊到最薄,並且可以達到電性不失真及通過各項可靠度測試。
以往黏晶鍵合(Die Bonding)都以人工作業為主,不過身為半導體驗證分析的宜特科技,為了協助客戶在研發製程階段,可以順利進行各項驗證測試與實驗分析,因此在去年引進自動化黏晶(Die Bonding)設備,解決了許多人工作業無法達到的黏晶品質(閱讀更多: 自動化Die Bonding 黏晶技術, 工程樣品快速封裝無礙[2] )
本期宜特小學堂,宜特將分享幾種常見的黏晶鍵合技術案例。
一、晶片只有打線鋁墊(Al Pad),如何進行覆晶黏晶鍵合(Flip Chip Die Bond)覆晶(Flip Chip,簡稱 FC)封裝在晶圓製程最後階段,通常都會遇到球下金屬層(Under Bump Metallurgy,簡稱 UBM)或重分佈製程(Redistribution Layer,簡稱 RDL)
不過,有一種情況是,IC 在設計研發階段時,為節省成本,以晶圓共乘(CyberShuttle)下線後,卻發現自家晶片回來後沒有 UBM 層或 RDL 層而無法長錫球, 導致後續無法進行驗證覆晶封裝的電性狀況。
如何解決此問題 ? 宜特快速封裝實驗室,透過在鋁墊(AI Pad)上長出金球,再焊...
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